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电子元器件详细资料 » IC[9957] » APTM100H35FT3G
型号:APTM100H35FT3G类别:FET制造商:Microsemi Power Products Group
封装:SP3描述:MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3

详细参数

类别FET
描述MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
系列-
制造商Microsemi Power Products Group
FET型4 个 N 通道(H 桥)
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C22A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C420 毫欧 @ 11A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 2.5mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs186nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds5200pF @ 25V
功率_最大390W
安装类型底座安装
封装/外壳SP3
供应商设备封装SP3
包装散装

供应商

昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
深圳市物量万芯科技有限公司张小姐0755-82715436
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
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